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Scheda Riassuntiva
Anno Accademico 2014/2015
Scuola Scuola di Ingegneria Industriale e dell'Informazione
Insegnamento 085981 - DISPOSITIVI ELETTRONICI
Docente Lacaita Andrea Leonardo
Cfu 5.00 Tipo insegnamento Monodisciplinare

Corso di Studi Codice Piano di Studio preventivamente approvato Da (compreso) A (escluso) Insegnamento
Ing Ind - Inf (1 liv.)(ord. 270) - MI (357) INGEGNERIA ELETTRONICA* AZZZZ085981 - DISPOSITIVI ELETTRONICI
Ing Ind - Inf (1 liv.)(ord. 270) - MI (363) INGEGNERIA BIOMEDICA* AZZZZ070354 - DISPOSITIVI ELETTRONICI
Ing Ind - Inf (Mag.)(ord. 270) - MI (419) INGEGNERIA ELETTRONICA* AZZZZ085981 - DISPOSITIVI ELETTRONICI

Programma dettagliato e risultati di apprendimento attesi

Elementi di fisica dei semiconduttori (10 ore di lezione, 4 ore di esercitazione): La microelettronica e la tecnologia planare. Conduttori e semiconduttori. Modello ad orbitale di legame. La generazione termica e la conduzione intrinseca, la lacuna, la legge d'azione di massa. Il drogaggio ed i droganti nel modello ad orbitali di legame. Maggioritari e minoritari. La conducibilità, la mobilità (modello di rilassamento energia/quantità di moto), la corrente di deriva. La saturazione della velocità (rilassamento totale del momento/parziale dell'energia). Corrente di diffusione. Legge di Fick. Relazione di Einstein.

 

Il diodo a giunzione (10 ore di lezione, 6 ore di esercitazione): La giunzione p-n ed il raddrizzamento La giunzione p-n all'equilibrio. Statistica di Boltzmann e tensione di built-in. Polarizzazione diretta: equazione di continuità. Modello elementare di generazione e ricombinazione. Iniezione in zona neutra e profilo di minoritari, espressione della corrente in polarizzazione diretta. Modello a controllo di carica, transconduttanza e capacità di diffusione. Diodo in inversa. Spessore della zona svuotata e campo elettrico. Capacità di giunzione e relazione non-lineare. Il breakdown, descrizione qualitativa: Effetto tunnel e della moltiplicazione a valanga

 

Il transistore MOSFET (10 ore di lezione, 10 ore di esercitazione): La struttura MOS. Banda piatta, svuotamento, inversione. La tensione di soglia. La capacità della struttura MOS. L'effetto body. Il transistore MOS canale n. Modello a controllo di carica. Il pinch-off e la saturazione. Relazione in zona ohmica ed in saturazione. Il MOSFET sotto-soglia. Compromesso ION/IOFF. La saturazione delle velocità. Capacità di corrente limite del MOSFET. Conduttanza di uscita e guadagno di tensione. Frequenza di taglio del MOSFET


Note Sulla Modalità di valutazione

L'esame consta di una prova scritta selettiva seguita da una prova orale


Bibliografia
Risorsa bibliografica obbligatoriaG. Giustolisi, G. Palumbo, Introduzione ai dispositivi elettronici, Editore: Franco Angeli, Anno edizione: 2005, ISBN: 88-464-6948-8

Mix Forme Didattiche
Tipo Forma Didattica Ore didattiche
lezione
30.0
esercitazione
20.0
laboratorio informatico
0.0
laboratorio sperimentale
0.0
progetto
0.0
laboratorio di progetto
0.0

Informazioni in lingua inglese a supporto dell'internazionalizzazione
Insegnamento erogato in lingua Italiano
Disponibilità di libri di testo/bibliografia in lingua inglese
Possibilità di sostenere l'esame in lingua inglese
schedaincarico v. 1.6.5 / 1.6.5
Area Servizi ICT
19/09/2020