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Scheda Riassuntiva
Anno Accademico 2019/2020
Scuola Scuola di Ingegneria Industriale e dell'Informazione
Insegnamento 085930 - ELETTRONICA
Docente Natali Dario Andrea Nicola
Cfu 10.00 Tipo insegnamento Monodisciplinare

Corso di Studi Codice Piano di Studio preventivamente approvato Da (compreso) A (escluso) Insegnamento
Ing Ind - Inf (1 liv.)(ord. 270) - MI (365) INGEGNERIA MATEMATICA*AZZZZ085930 - ELETTRONICA
Ing Ind - Inf (Mag.)(ord. 270) - MI (487) MATHEMATICAL ENGINEERING - INGEGNERIA MATEMATICA*AZZZZ085930 - ELETTRONICA

Obiettivi dell'insegnamento

A partire da una solida comprensione e modellizzazione dei principi e dei fenomeni fisici sfruttati nei dispositivi elettronici, 
l'insegnamento fornisce una panoramica dei principali campi di applicazione dell'elettronica illustrandone problematiche e metodologie. 


Risultati di apprendimento attesi

DdD 1: conoscenza e comprensione

A seguito del superamento dell’esame, lo studente:

  • conosce le problematiche di base e i campi di applicazione dell'elettronica
  • conosce i principi fondamentali sui quali si basa il funzionamento dei dispositivi elettronici
  • conosce le architetture circuitali di base dell'elettronica analogica e ne comprende il funzionamento
  • conosce le architetture circuitali di base dei circuiti retroazionati basati su amplificatori operazionali e ne comprende il funzionamento

DdD 2: capacità di applicare conoscenza e comprensione

A seguito del superamento dell’esame, lo studente:

  • è in grado di analizzare analiticamente il funzionamento di dispositivi elettronici quali transistori MOS e giunzioni pn
  • è in grado di affrontare l'analisi di circuiti elettronici analogici, lineari e non
  • è in grado di comprendere il ruolo funzionale dei blocchi circuitali di un circuito

Argomenti trattati
1. Introduzione
Segnali e circuiti elettrici.
Sistemi elettronici: definizione, classificazioni, esempi.
Breve storia dell'evoluzione delle tecnologie elettroniche.
 
2. Richiami di elettrotecnica
Reti elettriche resistive.
Circuiti dinamici con commutazione degli ingressi.
Circuiti dinamici lineari in regime sinusoidale e arbitrario.
Risposta in frequenza. Circuiti nel dominio della trasformata di Laplace: poli e zeri e loro significato circuitale. Diagrammi di Bode. Il metodo delle costanti di tempo. Individuazione delle funzioni di trasferimento per ispezione circuitale.
Legame tra il comportamento in frequenza e la risposta nel tempo.
Circuiti con elementi non lineari: il modello linearizzato per piccoli segnali.
 
3. Fisica dei semiconduttori
Legge di ohm e mobilità dei portatori. Introduzione ai semiconduttori. Semiconduttori intrinseci ed estrinseci. Drogaggio p e n. Compensazione. Legge di azione di massa. Correnti di deriva e diffusione. Relazione di Einstein. Relazione tra concentrazione di portatori e differenza di potenziale. Derivazione della distribuzione di Boltzmann. Equazione di continuità.
 
4. Il diodo
La giunzione pn: relazione funzionale corrente-tensione basate sulla distribuzione di Boltzmann. Elettrostatica della giunzione: estensione della zona di carica spaziale. Corrente nel diodo pn a base corta e lunga, in diretta ed inversa. Estensione della zona di carica spaziale nella giunzione polarizzata.
Analisi delle approssimazioni: neutralità delle regioni neutre, caduta di tensione sulle regioni neutre, quasi equilibrio della zona svuotata, lunghezza di Debye.
Il significato della lunghezza di diffusione. Il tempo di transito dei minoritari nelle zone neutre del diodo a base corta. Carica di minoritari accumulata nel diodo a base lunga e corta e relativa formulazione alternativa per la corrente. Capacità di giunzione e di diffusione. Ionizzazione da impatto: calcolo del campo elettrico critico.
Modelli e circuiti equivalenti per diodi. Circuiti di taglio e vincolo, clamper, allungatore di picco per la demodulazione AM.  Rettificatore a semionda e ad onda intera. Calcolo del ripple e della corrente massima nel diodo. Ponte di diodi.
Il diodo polarizzato in inversa come fotorivelatore. Strutture pin.
 
5. Il transistore MOS
Il concetto di transistore come generatore comandato. Breve storia del transistor. BJT e JFET (cenni).
MOS: calcolo della tensione di soglia. Calcolo della corrente nel MOSFET in approssimazione di canale graduale. La zona di saturazione nel MOSFET. Modello per piccoli segnali.
Polarizzazione del MOS e impiego come amplificatore per piccoli segnali.
Circuiti elementari a MOS: source comune, source follower, source degenerato, gate comune. Resistenza viste nei terminali del MOSFET. La resistenza di uscita. Il MOSFET come generatore di corrente. Stadio differenziale e specchio di corrente.
Effetti dello scaling. 
 
6. Amplificatore Operazionale
Sistemi retroazionati: stabilizzazione del guadagno ed effetto sulle non linearità del blocco di andata. Guadagno ideale, reale e d’anello.
L'amplificatore operazionale retroazionato ovvero il nullore. Configurazione invertente e non invertente. L'elaborazione analogica del segnale con l'A.O: nodo sommatore, buffer di tensione, amplificatore alle differenze, integratore ideale e reale.
Risposta in frequenza. Cenni alla stabilità. Polo ad anello chiuso della configurazione non invertente. Trade-off tra banda e guadagno.
La retroazione e la risposta in frequenza. La stabilità e i relativi criteri di verifica.
L'A.O. reale: effetti delle principali non idealità: correnti di bias, offset di tensione, corrente di uscita, slew-rate, resistenze di ingresso e uscita.
 
8. Rumore nei circuiti elettronici (cenni)
Processi casuali, processi stazionari, processi ergodici. La funzione di autocorrelazione e la densità spettrale di potenza. Rumore termico e rumore shot. Generatori equivalenti di rumore.

Prerequisiti

È richiesta dimestichezza con la risoluzione dei circuiti elettrici (stazionari, dinamici e in regime sinusoidale) e con i diagrammdi di Bode. La familiarità con gli aspetti fondamentali dell'elettromagnetismo, pur non essendo vincolante, è di sicuro aiuto alla comprensione della materia.


Modalità di valutazione

La verifica dell'apprendimento avviene esclusivamente tramite prove scritte volte a verificare:  la capacità di risolvere esercizi di tipo dispositivistico, e la capacità di analizzare e risolvere circuiti elettronici analogici lineari e non.

In particolare, in sede d'esame lo studente dovrà dimostrare:

-di essere in grado di analizzare analiticamente il funzionamento di dispositivi elettronici quali transistori MOS e giunzioni pn, sfruttando i principi di fisica dei dispositivi appresi

-di saper risolvere (in polarizzazione e su piccolo segnale) circuiti elettronici analogici, riconoscendo le architetture circuitali di base apprese e sfruttandone le note proprietà

-di saper risolvere circuiti elettronici non lineari basati su diodi

- saper risolvere circuiti analogici retroazionati basati su amplificatori operazionali, riconoscendo le configurazioni circuitali apprese e sfruttandone le note proprietà

Non sono previste prove in itinere.


Bibliografia
Risorsa bibliografica obbligatoriaG. Giustolisi e G. Palumbo, Introduzione ai dispositivi elettronici, Editore: FrancoAngeli, ISBN: 8846469488
Risorsa bibliografica obbligatoriaAdel S. Sedra, Kenneth C. Smith, Circuiti per la Microelettronica, Editore: Edises, Anno edizione: 2012, ISBN: 9788879597340
Note:

uso solo parziale (<15%). Traduzionie italiana della sesta edizione in inglese

Risorsa bibliografica facoltativaAdel S. Sedra, Kenneth C. Smith, Microelectronic Circuits (7th edition), Editore: Oxford University Press, Anno edizione: 2014, ISBN: 9780199339136
Note:

uso solo parziale (<15%)

Risorsa bibliografica facoltativaR. C.Jaeger e T. N. Blaylock, Microelettronica, Editore: McGraw-Hill, Anno edizione: 2009, ISBN: 9788838665042
Note:

uso parziale, in alternativa a Sedra Smith


Software utilizzato
Nessun software richiesto

Forme didattiche
Tipo Forma Didattica Ore di attività svolte in aula
(hh:mm)
Ore di studio autonome
(hh:mm)
Lezione
60:00
90:00
Esercitazione
40:00
60:00
Laboratorio Informatico
0:00
0:00
Laboratorio Sperimentale
0:00
0:00
Laboratorio Di Progetto
0:00
0:00
Totale 100:00 150:00

Informazioni in lingua inglese a supporto dell'internazionalizzazione
Insegnamento erogato in lingua Italiano
Disponibilità di libri di testo/bibliografia in lingua inglese
Possibilità di sostenere l'esame in lingua inglese
schedaincarico v. 1.8.3 / 1.8.3
Area Servizi ICT
03/10/2023